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BSC016N06NSN沟道场效应晶体管

更新时间:2018-03-14 16:21:18 浏览次数:93次
区域: 深圳 > 福田 > 华强北
类别:集成电路/IC
单价:7 元
公司:深圳市星际金华电子有限公司
星际金华供应BSC016N06NS N沟道场效应晶体管 价优物原   质量保证   海量库存

星际金华提供BSC016N06NS N沟道场效应晶体管   原厂直销 原装现货出售   欢迎咨询

型号:BSC016N06NS
批号:17+
封装:PG-TDSON-8

规格:
FET 类型      N 沟道
技术      MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)      60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)      30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)      6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值)      2.8V @ 95μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值)      71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值)      5200pF @ 30V
Vgs(大值)      ±20V
FET 功能      -
功率耗散(大值)      2.5W(Ta),139W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值)      1.6 毫欧 @ 50A,10V
工作温度      -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型      表面贴装
供应商器件封装      PG-TDSON-8
封装/外壳      8-PowerTDFN

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注册时间:2017年05月31日
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