星际金华供应BSC016N06NS N沟道场效应晶体管 价优物原 质量保证 海量库存
星际金华提供BSC016N06NS N沟道场效应晶体管 原厂直销 原装现货出售 欢迎咨询
型号:BSC016N06NS
批号:17+
封装:PG-TDSON-8
规格:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 2.8V @ 95μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 5200pF @ 30V
Vgs(大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 2.5W(Ta),139W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 1.6 毫欧 @ 50A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
如有需要可向客服人员索取相关资料以及图片,价格也均不是实价,下单前请先致电咨询客服人员。