上海贝岭BLM2301 P沟道MOS

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上海贝岭BLM2301 P沟道MOS
BLM2301 P沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
●VDS=-20V，ID=-3A
RDS(ON)<140mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON)<110mΩ@VGS=-4.5V
●高功率和电流处理能力
●PWM应用
负载开关
●电源管理

2.上海贝岭BLM2302 N沟道MOS
BLM2302 N沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
一般特征
●VDS=20V，ID=2.9A
RDS(ON)<59mΩ@VGS=2.5V
RDS(ON)<45mΩ@VGS=4.5V
●高功率和电流处理能力
●电池保护
负载开关
●电源管理

3.上海贝岭BLM3400 N沟道MOS
BLM3400 N沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
一般特征
●VDS=30V，ID=5.8A
RDS(ON)<59m@VGS=2.5V
RDS(ON)<45m@VGS=4.5V
RDS(ON)<41m@VGS=10V
●高功率和电流处理能力
●PWM应用
负载开关
●电源管理

4.上海贝岭BLM3401 P沟道MOS
BLM3401 P沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
●VDS=-30V，ID=-4.2A
RDS(ON)<120mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)<55mΩ@VGS=-10V
●高功率和电流处理能力
●PWM应用
负载开关
●电源管理

5.上海贝岭BLM3404 N沟道MOS
BLM3404 N沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。用于负载开关和PWM应用。
总特征
●VDS=30V，ID=5.8A
RDS(ON)<31m@VGS=10V
RDS(ON)<43m@VGS=4.5V
●高功率和电流处理能力
应用：
负载开关
●PWM应用

6.上海贝岭BLM4435 P沟道MOS
BLM4435 P沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作电压低至4.5V。
一般特征
●VDS=-30V，ID=-9.1A
RDS(ON)<35m@VGS=-4.5V
RDS(ON)<20m@VGS=-10V
●高功率和电流处理能力
应用
电池开关·负载开关·电源管理

7.上海贝岭BLM4953 双PMOS
BLM4953 双PMOS,采用先进的沟槽技术生产优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作低至4.5V的电压。这个装置适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
●VDS=-30V，ID=-5.1A
RDS(ON)<105m@VGS=-4.5V
RDS(ON)<55m@VGS=-10V
●高功率和电流处理能力
●PWM应用
负载开关
●电源管理