P通道增强型MOSFET TDM3421

P通道增强型MOSFET TDM3421

描述
TDM3421使用先进的沟槽
技术提供的RDS（ON）和
低门电荷。 该设备适合使用
作为负载开关或PWM应用。
一般特征
RDS（ON）<32mΩ@ VGS = -4.5V
RDS（ON）<19mΩ@ VGS = -10V
可靠耐用
ESD保护通过2KV
提供无铅产品
PPAK-3 * 3-8包装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理

描述
TDM3421使用先进的沟槽
技术提供的RDS（ON）和
低门电荷。 该设备适合使用
作为负载开关或PWM应用。
一般特征
RDS（ON）<32mΩ@ VGS = -4.5V
RDS（ON）<19mΩ@ VGS = -10V
可靠耐用
ESD保护通过2KV
提供无铅产品
PPAK-3 * 3-8包装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理