N沟道增强型MOSFET TDM3452
描述
TDM3452采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
这个器件适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
RDS(ON)<5.1mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
提供无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
N沟道增强型MOSFET TDM3452
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