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N沟道增强型MOSFET TDM3512

更新时间：2019-07-24 15:15:03　浏览次数：101次
区域： 深圳 > 龙岗 > 坂田
类别：集成电路/IC
单价：1 元
公司：深圳市佰骏工业产品设计有限公司
N沟道增强型MOSFET TDM3512

描述
该TDM3512采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS（ON）和低门电荷。
这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。

一般特征
RDS（ON）<3.6mΩ@ VGS = 1.8V
RDS（ON）<2.5mΩ@ VGS =2.5V
RDS（ON）<2MΩ@ VGS= 4.5V
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
动力系统
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