N沟道增强型MOSFET TDM31056
描述
该TDM31056采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。
这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。
一般特征
RDS(ON)<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS =10V
高功率和电流处理能力
可提供无铅产品
DFN5X6-8封装
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
硬开关和高频电路
N沟道增强型MOSFET TDM31056
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4月29日