MOS场效应管STD10NF10T4

　　MOS(场效应管)STD10NF10T4
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：13A
　　漏源电压（Vdss）：100V
　　栅源极阈值电压（大值）：4V@250uA
　　漏源导通电阻（大值）：130mΩ@5A，10V

　　特征说明：
　　特殊的dv/dt的能力
　　面向应用程序的描述

　　定参数：
　　漏源极电压：100V
　　Drain-gate电压(该公司=20kΩ)：100V
　　Gate-source电压：±20V
　　极电流(连续)TC=25°C：13
　　漏极电流(连续)TC=100°C：9
　　漏极电流(脉冲)：52
　　总耗散TC=25°C：50W
　　单脉冲雪崩能量：70mJ
　　二极管恢复电压峰值斜率：9V/ns
　　操作结温度范围：-55到175℃
　　存储温度范围：-55到175℃
　　STD10NF10T4推荐产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_2722.html

　　内部原理图：