CEP80N15定参数

　　产品型号：CEP80N15
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：76A（Tc）
　　漏源电压（Vdss）：150V
　　栅源极阈值电压（大值）：4V@250uA
　　漏源导通电阻（大值）：19mΩ@35A，10V
　　类型：N沟道
　　功率耗散（大值）：300W（Tc）

　　特征说明：
　　超低RDS的超高密度电池设计(ON)
　　高功率和电流处理能力
　　无铅电镀;通过无铅认证
　　通孔用TO-220、TO-263、TO-220F全pak
　　CEP80N15推荐产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_6161.html

　　定参数：
　　Tc=25℃，除非另有说明