NTS2101PT1G推荐产品

　　产品型号：NTS2101PT1G
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：1.4A
　　漏源电压（Vdss）：8V
　　栅源极阈值电压（大值）：700mV@250uA
　　漏源导通电阻（大值）：100mΩ@1A，4.5V
　　类型：P沟道
　　功率耗散（大值）：290mW

　　特性：
　　领先的沟槽技术，低RDS(on)延长电池寿命
　　-1.8V额定低压门驱动器
　　SC-70表面贴装，占地面积小(2x2毫米)
　　免费包装

　　应用程序：
　　高侧负荷开关
　　充电电路
　　单电池应用，如手机，数码相机、pda等
　　NTS2101PT1G推荐产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_6328.html