AO4607特征

　　AO4607采用先进的沟槽技术mosfts提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可以用于逆变器和其他应用。肖特基二极管与nchannel场效应晶体管一起封装，以大限度地减小体二极管损耗。AO4607是无pb的(符合ROHS和Sony 259规范)。AO4607L是一个绿色产品订购选项。AO4607和AO4607L是电相同的。
　　AO4607特征：
　　n-channel p-channel
　　VDS (V) = 30V -30V
　　ID = 6.9A (VGS=10V) -6A (VGS=1-0V)
　　RDS(ON) RDS(ON)
　　< 28mΩ (VGS=10V) < 35mΩ (VGS = -10V)
　　< 42mΩ (VGS=4.5V) < 58mΩ (VGS =- 4.5V)
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　　定参数：
　　除非另有说明，否则TA=25℃