STP60NF06产品

　　MOSFET系列采用意法半导体独特的STripFET工艺实现，特别设计以小化输入电容和栅电荷。因此，它适合作为先进的隔离DC-DC转换器的主开关，用于电信和计算机应用。它也适用于任何低栅电荷驱动要求的应用。

　　产品型号：STP60NF06
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：60A
　　漏源电压（Vdss）：60V
　　栅源极阈值电压：4V@250uA
　　漏源导通电阻：16mΩ@30A,10V
　　类型：N沟道
　　大功率耗散（Ta）：110W

　　参数：
　　FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
　　FET功能：标准
　　漏源极电压（Vdss）：60V
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）
　　不同?Id，Vgs时的?RdsOn（大值）：16毫欧@30A，10V
　　不同Id时的Vgs（th）（大值）：4V@250μA
　　不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：73nC@10V
　　不同Vds时的输入电容（Ciss）：1660pF@25V
　　功率-大值：110W
　　工作温度：-55°C~175°C（TJ）
　　安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-220-3
　　供应商器件封装：TO-220AB

　　应用程序：
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　　STP60NF06产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_359.html