IR2113SPBF特性

　　IR2110/IR2113是高电压、高速功率MOSFET和具有独立的高、低侧参考输出通道的IGBT驱动程序。
　　专有的HVIC和门闩免疫CMOS技术使能加固的整体结构。逻辑输入是兼容的标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动程序的特点是高脉冲电流缓冲级设计为小司机cross-conduction。传播延迟匹配以简化在高频应用程序中的使用。的浮动通道可用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT的高侧配置工作电压可达500或600伏。
　　IR2113SPBF特性：
　　为引导操作而设计的浮动通道
　　完全工作到+500V或+600V
　　耐负瞬态电压dV / dt免疫
　　门驱动电源范围从10到20V
　　两个通道的欠压锁定
　　3.3V逻辑兼容
　　独立逻辑电源范围从3.3V到20V
　　逻辑和电源接地±5V偏移
　　CMOS施密特触发输入与下拉
　　逐周期边缘触发关机逻辑
　　匹配两个通道的传播延迟
　　输出与输入同步
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　　典型的连接：