产品型号:STD45NF75T4
封装/箱体:TO-252-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:75V
Id-连续漏极电流:40A
RdsOn-漏源导通电阻:18mOhms
Vgs-栅极-源极电压:20V
小工作温度:-55℃
大工作温度:+175℃
Pd-功率耗散:125W
定参数:
漏源电压(VGS=0):75V
排栅电压(该公司=20kΩ):75V
栅源电压:±20v
TC=25°C时漏电流(连续):40a
在TC=100°C时漏电流(连续):30A
漏极电流(脉冲):160a
总耗散在TC=25°C:125W
降额因子0.83:W/°C
峰值二极管恢复电压斜率:20v/ns
单脉冲雪崩能量:500兆焦
储存温度:-55至175℃
大工作结温度:-55到175°C
STD45NF75T4产品:http://www.dzs***/ic-detail/9_2682.html