AMCOM的GaN MMIC 放大器具有哪些优势

AMCOM是美国半导体公司中具有全世界技术领先的微波设计公司，AMCOM的GaN宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等好处，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣前提的新要求。从工程角度来看，GaN具有的4个优势：

· 宽禁带半导体具有杰出的dV/dt切换性能，这意味着开关消耗很小。这使得高开关频率(GaN为1 MHz以上)成为可能，后果有助于减小磁体体积，同时提升功率密度。

· 电感值、尺寸和分量能削减70%以上，同时还能削减电容数量，使很终转换器的尺寸和分量仅相当于古代转换器的五分之一。

· 无源元件和机械部件(包含散热器)的用量可节减大概40%，增值片面则表现在控制电子IC上。

· 宽禁带半导体对高结温具有超高的耐受性，这种耐受性有助于提升功率密度，削减散热问题。

伴随着AMCOM的GaN生产工艺在不断进步，在GaN-on-Si外表片上生产的GaN器件具有相当低的老本，比在SiC晶片上生产任何产品都更为容易。由于这些缘故，GaN晶体管可能会成为2020年代后期逆变器中的，优于较昂贵的SiC MOSFET。

深圳市立维创展科技是AMCOM功率放大器的代理销售，主要提供AMCOM的功率放大器，射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制等，原装进口，质量保证，价格优势，欢迎咨询。

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或联系我们的销售工程师：0755-83642657   Q Q: 1369964087

模型

低频率（GHz）

大频率（GHz）

增益（dB）

输出功率（dBm）

Eff（％）

包

AM003042WN-XX-R

0.05

3

23

42

33

Flange / SMT

AM003042WN-00-R

0.05

3

24

42

35

Bare Die

AM206041WN-SN-R

1.8

6.5

30

41

23

Flange

AM206041WN-00-R

1.8

6.5

32

42

27

Bare Die

AM408041WN-SN-R

3.75

8.25

31

41

23

Flange

AM408041WN-00-R

3.75

8.25

33

42

27

Bare Die

AM00010037WN-SN-R

DC

10

13

37

23

Flange

AM00010037WN-00-R

DC

10

13

37

25

Bare Die

AM08012041WN-SN-R

7.5

12

21

41

20

Flange

AM08012041WN-00-R

7.5

12

22

42

20

Bare Die

AM07512041WN-SN-R

7.75

12.25

27

41

22

Flange

AM07512041WN-00-R

7.75

12.25

28

42

27

Bare Die