AMCOM射频晶体管GaAs FET

AMCOM砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)是一种专门用于高频、超高频和微波射频放大电路的场效应晶体管。AMCOM射频晶体管GaAs FET的频率范围跨越电磁辐射谱，从30 MHz到红外波段。AMCOM射频晶体管GaAs FET以其灵敏度而闻名，而GaAs FET产生的内部噪声很小。这主要是由于GaAs具有很强的载流子迁移率。电子可以轻易、快速地穿过半导体材料。AMCOM射频晶体管GaAs FET是一种耗尽器件，这意味着当控制电极没有电压时，它会导电，当栅极有电压时，沟道电导率会降低。

在弱信号无线通信和广播接收方面，AMCOMRF晶体管GaAs FET的性能优于大多数其他类型的场效应晶体管。一些类型的GaAs FET也用于射频功率放大器。GaAs FET也用于宇宙通信、射电天文学和无线电爱好者所做的实验。

AMCOM射频晶体管GaAs FET具有良好的线性度。

深圳市立维创展科技是AMCOM经销商，专业提供AMCOM产品系列包括：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制等，产品原装进口，质量保证，欢迎咨询。

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模型

频率（GHz）

大频率（GHz）

增益（dB）

P1分贝（dBm）

IP3（dBm）

偏差（V）

AM010MH4-BI-R

直流电

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

直流电

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

直流电

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

直流电

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

直流电

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

直流电

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

直流电

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

直流电

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

直流电

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

直流电

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流电

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

直流电

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

直流电

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

直流电

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

直流电

6

19

36

49

-28