MACOM 10G 25G Fabry Perot激光器

MACOM的专利刻蚀表面技术(EFT)解决了现有技术和工艺的主要局限性，代表了半导体激光工业的重大进步。与工业分面Fabry-Perot(FP)和分布式反馈(DFB)激光器相比，我们的刻蚀表面激光器在成本和性能上有明显的优势，并具有以下优点：

晶片级小面涂层，测试和表征

处理步骤大大减少。

激光产量显著增加

边缘和表面发射激光器是可用的

可制造极短腔高速低阈值激光器

高数据速率模块的低成本封装

真正的单芯片集成

柔性材料与结构设计

激光腔与晶体方向无关。

可扩展制造技术

10 GFabry-Perot激光器

MACOM公司的Fabry-Perot(FP)激光二极管是为10G的运算量而设计的。这些产品使用专利的蚀刻表面技术(EFT)来提供优良的可靠性，并具有以下优点：

EFT技术可以实现高性能和产品的统一性

非密封封装非常适用于基于硅光子学的数据中心应用

单片表面发射和光束整形可以与硅光子对齐。

由于背反射抑制能力高，所以不需要隔离器。

产品满足RoHS的要求，专为TelcordiaGR-468设计，可作为测试的裸带或包装到-56罐。

零件号

包装尺寸

大数据速率（Gbps）

包装类型

临时选项

波长（nm）

LD Type

131F-10I-LCT11-S

250 x 250 x 100

10

DIE

-40o to 85oC

1310

FP

131F-10I-LT5K1C-S

TO-56

10

TO-can

-40 to 85C

1310

FP



25G Fabry-Perot激光器

MACOM FP激光器设计用于10G和25G的工作，适用于4G和5GFronthaul的应用。这些产品使用专利的蚀刻表面技术(EFT)提供优良的可靠性，并具有以下优点：

EFT技术可以实现高性能和产品的统一性

工业温度范围为-40°C~95°C，非常适合4G和5G的预传输应用。

适用于数据中心应用的非密封包装

单片表面发射和光束整形，可与硅光子对齐

高背反射抑制，低成本封装，无隔离器

这些产品符合RoHS的要求，是为TelcordiaGR-468设计的。

零件号

大数据速率（Gbps）

波长

温度

包装类型

MAOD-131F25I-T5R50

25

1310

–40°C up to 85°C

TO-56

MAOD-131F25IL1T0

25

1310

I-temp

Die

深圳立维创展科技是MACOM的代理商，产品提供MACOM可变增益放大器，功率放大器，低噪声放大器，线性放大器，混合放大器， FTTx放大器，分频放大器，放大器增益模块，有源分离器，功分压器，倍频器，混合混频器，混频器，上变频器，数字衰减器，数字移相器，功率测试仪。压控衰减器等半导体，进口，质量保证，欢迎咨询。

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