LINEAR GaAsFET 偏置发生器

GaAsFET（砷化镓场效应晶体管）是高频、超高频、微波无线电频下功放电路的场效应晶体管。GaAsFET凭借其灵敏性而举世闻名，其形成的内部噪声极少。这主要是由于砷化镓拥有与众不同的载流子迁移率。电子特别容易通过半导体材料。GaAsFET是一款耗尽型机械设备，这就代表着当在操纵电极门没有电压时它便会导电，当在门侧产生电压时信道传导率便会降低。在弱数据信号无线通信和广播接收中，GaAsFET优于其他类型的场效晶体管。

LINEAR提供了完整性的充电泵DC-DC稳压器产品，特别适合于用来作为GaAsFET偏置发生器。

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产品型号

Vin (min)

Vin (max)

Output Current (typ)

Output Voltage

Isupply (typ)

Frequency (typ)



V

V

A



A

Hz

LTC1261L

2.7

5.25

20m

-4.5V, -4V, Adj

650μ

650k

LTC1550L

2.7

5.25

20m

-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj

4.2m

900k

LTC1551L

2.7

5.25

20m

-4.1V

3.5m

900k

LTC1550

2.7

5.25

20m

-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj

4.2m

900k

LTC1551

2.7

5.25

20m

-4.1V

4.2m

900k

LTC1261

3

8

12m

-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj

600μ

550k